新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡

型　號Hitachi SU9000

產(chǎn)品時間2024-06-24

所屬分類掃描電子顯微鏡（電鏡）

訪問量4279

產(chǎn)品描述：日立2011年新推出了SU9000新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡，達到掃描電鏡高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進的真空系統(tǒng)和電子光學系統(tǒng)，不僅分辨率性能明顯提升，而且作為一款冷場發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作，可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。

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產(chǎn)品概述

日立2011年新推出了SU9000新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡，達到掃描電鏡高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進的真空系統(tǒng)和電子光學系統(tǒng)，不僅分辨率性能明顯提升，而且作為一款冷場發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作，可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。

產(chǎn)品特點：

1. 新型電子光學系統(tǒng)設計達到掃描電鏡高分辨率：二次電子0.4nm（30KV），STEM 0.34nm（30KV）。

2. Hitachi專li設計的E×B系統(tǒng)，可以自由控制SE和BSE檢測信號。

3. 全新真空技術設計使得SU9000冷場發(fā)射電子束具有超穩(wěn)定和高亮度特點。

4. 全新物鏡設計顯著提高低加速電壓條件下的圖像分辨率。

5. STEM的明場像能夠調(diào)整信號檢測角度，明場像、暗場像和二次電子圖像可以同時顯示并拍攝照片。

6. 與FIB兼容的側(cè)插樣品桿提高更換樣品效率和高倍率圖像觀察效率。

新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡技術參數(shù)

項目			技術指標
二次電子分辨率			0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬倍）
			1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬倍）
STEM分辨率			0.34nm（加速電壓30kV，晶格象）
觀測倍率			底片輸出	顯示器輸出
LM模式			80~10,000x	220~25,000x
HM模式			800~3,000,000x	2,200~8,000,000x
樣品臺		側(cè)插式樣品桿
樣品移動行程	X		±4.0mm
	Y		±2.0mm
	Z		±0.3mm
	T		±40度
標準樣品臺			平面樣品臺：5.0mm×9.5mm×3.5mmH
			截面樣品臺：2.0mm×6.0mm×5.0mmH
樣品臺			截面樣品臺：2.0mm×12.0mm×6.0mmH
			雙傾截面樣品臺：0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信號檢測器			二次電子探測器
			TOP 探測器（選配）
			BF/DF 雙STEM探測器（選配）

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